一直以来，包括7nm、5nm在内的芯片制程都采用的是FinFET晶体管技术。

要知道，半导体行业进步的背后有着一条金科玉律，那就是「摩尔定律」。

摩尔定律表明：每隔 18~24 个月，封装在微芯片上的晶体管数量便会增加一倍，芯片的性能也会随之翻一番。

当FinFET结构走到了无法突破物理极限的时候，对新的晶体管技术提出了需求。

也就是说，GAA (gate-all-around，简称 GAA) 架构的出现再次拯救了摩尔定律。

相比于传统芯片采用的「FinFET」技术而言，三星采用的「GAAFET」技术明显占据优势。

「FinFET」技术已经在芯片上使用了将近10年时间，它帮助芯片完成了从28纳米工艺到5纳米工艺的跨越。

相比之下，「GAAFET」的沟道被栅极四面包围，沟道电流比三面包裹的「FinFET」更加顺畅，这样的设计进一步改善了对电流的控制，从而优化栅极长度的微缩。不仅消耗功率低，耗电量低，速度也更快了。

三星认为采用纳米线沟道设计必须堆叠更多的线层以增加总沟道宽度，这样的工艺不仅复杂，且付出的成本可能也大于收益。

因此，三星设计了一种全新的GAA形式——MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），采用多层堆叠的纳米片（Nanosheet）来替代「GAAFET」中的纳米线（Nanowire）。

「MBCFET」采用了具有更大宽度的片状结构，同时保留了所有「GAAFET」优点，实现了最小化复杂度。

基于纳米片的「MBCFET」具有极高的可定制性，纳米片的宽度是定义功率和性能特性的关键指标，即纳米片的宽度越大，它的性能就越高。

参考资料：

https://www.tomshardware.com/pc-components/cpus/white-house-seeks-to-restrict-chinas-access-to-gaa-chip-technology-and-the-high-bandwidth-memory-thats-critical-for-ai-accelerators

https://www.bloomberg.com/news/articles/2024-06-11/us-weighs-more-limits-on-china-s-access-to-cutting-edge-chips-needed-for-ai